3D堆叠封装将改变制程以及摩尔定律
发布时间:2019-10-01
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3D堆叠封装将改变制程以及摩尔定律
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芯片封装一直是芯片制造中的一个重头戏,在传统的2D封装技术已经发展到瓶颈之后,半导体制造商们把目光转向了3D堆叠工艺。我们已经看到了大量的3D NAND闪存,英特尔和AMD也都有宣布关于3D芯片的研究,现在Arm和GlobalFoundries也加入了这个领域。

格罗方德(GlobalFoundries)昨日宣布,它已经开发出基于Arm的3D高密度测试芯片,该芯片将实现更高水平的性能和功效。新芯片采用GF的12nm FinFET工艺制造,采用3D的Arm网状互连技术,允许数据更直接地通往其他内核,最大限度地减少延迟,最终,这可以降低数据中心、边缘计算和高端消费者应用程序的延迟和更高的数据传输速度。

格罗方德表示他们的方法可以在每平方毫米上实现多达100万个3D连接,使其具有高度可扩展性,并有望延长12nm工艺的寿命。其3D封装解决方案(F2F)不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑/存储器集成的途径,而且可以使用最佳生产节点制造,从而实现更低的延迟、更高的带宽和更小的特征尺寸。

由于12nm工艺更加稳定,因此目前在3D空间上开发芯片更容易,而不必担心新7nm工艺可能带来的所有问题。然而,台积电,三星和英特尔能够在比格罗方德小得多的节点上开发3D芯片只是时间问题。

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